
IPN60R3K4CEATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPN60R3K4CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN60R3K4CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN60R3K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN60R3K4CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 2,6 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN60R3K4CEATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,4ohm a 500mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 40µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 93 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.54000 | Fr. 0.54 |
| 10 | Fr. 0.33400 | Fr. 3.34 |
| 100 | Fr. 0.21420 | Fr. 21.42 |
| 500 | Fr. 0.16246 | Fr. 81.23 |
| 1’000 | Fr. 0.14579 | Fr. 145.79 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.12085 | Fr. 362.55 |
| 6’000 | Fr. 0.11048 | Fr. 662.88 |
| 9’000 | Fr. 0.10520 | Fr. 946.80 |
| 15’000 | Fr. 0.09926 | Fr. 1’488.90 |
| 21’000 | Fr. 0.09575 | Fr. 2’010.75 |
| 30’000 | Fr. 0.09250 | Fr. 2’775.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.54000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.58374 |












