Name: IPN70R2K0P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN70R2K0P7SATMA1TR-ND
Price: 0.72427 CHF
Availability: InStock

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IPN70R2K0P7SATMA1
Codice DigiKey	IPN70R2K0P7SATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN70R2K0P7SATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN70R2K0P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPN70R2K0P7SATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 700 V 3 A (Tc) 6W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPN70R2K0P7SATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 30µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.8 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 130 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 6W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 700 V	Contenitore del fornitore PG-SOT223
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPN70R2
RDSon (max) a Id, Vgs 2ohm a 500mA, 10V

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Nastrato in bobina (TR)