Name: IPN80R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R1K2P7ATMA1TR-ND
Price: 1.31882 CHF
Availability: OutOfStock

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IPN80R1K2P7ATMA1
Codice DigiKey	IPN80R1K2P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN80R1K2P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN80R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPN80R1K2P7ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 4,5 A (Tc) 6,8W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPN80R1K2P7ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 80µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 300 pF @ 500 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 6,8W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore PG-SOT223
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPN80R1
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2ohm a 1,7A, 10V

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Nastrato in bobina (TR)