

IPN80R1K2P7ATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPN80R1K2P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN80R1K2P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN80R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN80R1K2P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 4,5 A (Tc) 6,8W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN80R1K2P7ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,2ohm a 1,7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 80µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 300 pF @ 500 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6,8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.01000 | Fr. 1.01 |
10 | Fr. 0.68700 | Fr. 6.87 |
100 | Fr. 0.49460 | Fr. 49.46 |
500 | Fr. 0.38754 | Fr. 193.77 |
1’000 | Fr. 0.35307 | Fr. 353.07 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.30002 | Fr. 900.06 |
6’000 | Fr. 0.28146 | Fr. 1’688.76 |
9’000 | Fr. 0.27989 | Fr. 2’519.01 |
15’000 | Fr. 0.27618 | Fr. 4’142.70 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.01000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.09181 |