

IPN80R3K3P7ATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN80R3K3P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN80R3K3P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN80R3K3P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 1,9 A (Tc) 6.1W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN80R3K3P7ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,3ohm a 590mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 30µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 5.8 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 120 pF @ 500 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6.1W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.66000 | Fr. 0.66 |
10 | Fr. 0.51000 | Fr. 5.10 |
100 | Fr. 0.33980 | Fr. 33.98 |
500 | Fr. 0.26230 | Fr. 131.15 |
1’000 | Fr. 0.23733 | Fr. 237.33 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.19666 | Fr. 589.98 |
6’000 | Fr. 0.18394 | Fr. 1’103.64 |
9’000 | Fr. 0.17218 | Fr. 1’549.62 |
15’000 | Fr. 0.16950 | Fr. 2’542.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.66000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.71346 |