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Infineon Technologies
In magazzino: 4’437
Prezzo unitario : Fr. 1.39000
Scheda tecnica
Canale N 800 V 6 A (Tc) 7W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
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Canale N 800 V 6 A (Tc) 7W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R900P7ATMA1

Codice DigiKey
IPN80R900P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPN80R900P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IPN80R900P7ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 6 A (Tc) 7W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPN80R900P7ATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
900mohm a 2,2A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 110µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
350 pF @ 500 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
7W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-SOT223
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.03.2026
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.27000Fr. 1.27
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.33959Fr. 1’018.77
6’000Fr. 0.31830Fr. 1’909.80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.27000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.37287