

IPN95R3K7P7ATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPN95R3K7P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN95R3K7P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN95R3K7P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN95R3K7P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 950V 2A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 950 V 2 A (Tc) 6W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN95R3K7P7ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 950 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,7ohm a 800mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 40µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 196 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.52000 | Fr. 0.52 |
10 | Fr. 0.41700 | Fr. 4.17 |
100 | Fr. 0.33620 | Fr. 33.62 |
500 | Fr. 0.31312 | Fr. 156.56 |
1’000 | Fr. 0.28420 | Fr. 284.20 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
3’000 | Fr. 0.24774 | Fr. 743.22 |
6’000 | Fr. 0.22893 | Fr. 1’373.58 |
9’000 | Fr. 0.21296 | Fr. 1’916.64 |
15’000 | Fr. 0.21140 | Fr. 3’171.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.52000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.56212 |