IPI020N06NAKSA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IPI020N06NAKSA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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In magazzino: 490

Prezzo unitario : Fr. 1.76000

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IPI020N06NAKSA1
Codice DigiKey	IPI020N06NAKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPI020N06NAKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 29 A (Ta), 120 A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Foro passante PG-TO262-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPI020N06NAKSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Sfuso
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	29 A (Ta), 120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,8V a 143µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7800 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO262-3-1
Contenitore/involucro	TO-262-3 conduttori lunghi, I2PAK, TO-262AA
Codice componente base	IPI02N