IPP091N06N G Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IPP091N06N G
Codice DigiKey	IPP091N06NG-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPP091N06N G
Descrizione	MOSFET N-CHAN TO-220
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 80 A (Tc) Foro passante PG-TO220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 9,1mohm a 80A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 4V a 130µA
Serie OptiMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 81 nC @ 10 V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2800 pF @ 30 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Tipo di montaggio Foro passante
Tipo FET Canale N	Contenitore del fornitore PG-TO220-3
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Codice componente base IPP091N
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)

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