IPP100N08N3GXKSA1 è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Diretto


Infineon Technologies
In magazzino: 2’500
Prezzo unitario : Fr. 1.92000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 2’227
Prezzo unitario : Fr. 1.26000
Scheda tecnica

Simile


Texas Instruments
In magazzino: 1’123
Prezzo unitario : Fr. 2.13000
Scheda tecnica

Simile


Texas Instruments
In magazzino: 3’257
Prezzo unitario : Fr. 2.09000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 520
Prezzo unitario : Fr. 1.57000
Scheda tecnica

Simile


IXYS
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.85603
Scheda tecnica

Simile


IXYS
In magazzino: 174
Prezzo unitario : Fr. 3.81000
Scheda tecnica
PG-TO220-3-1
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPP100N08N3GXKSA1

Codice DigiKey
448-IPP100N08N3GXKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IPP100N08N3GXKSA1
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 70 A (Tc) 100W (Tc) Foro passante PG-TO220-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPP100N08N3GXKSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
10mohm a 46A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 46µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2410 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
PG-TO220-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione. Visualizza Articoli sostitutivi.