IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IPP120P04P4L03AKSA2 è obsoleto e non è più in produzione.

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Prezzo unitario : Fr. 2.10000

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IPP120P04P4L03AKSA2
Codice DigiKey	448-IPP120P04P4L03AKSA2-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPP120P04P4L03AKSA2
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 120 A (Tc) 136W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPP120P04P4L03AKSA2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ P2
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,4mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 340µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	234 nC @ 10 V
Vgs (max)	+5V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	15000 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	136W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q100
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO220-3-1
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	IPP120