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IPP16CN10NGXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPP16CN10NGXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPP16CN10NGXKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 53 A (Tc) 100W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPP16CN10NGXKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 61µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3220 pF @ 50 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 16,5mohm a 53A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF3710PBF | Infineon Technologies | 830 | IRF3710PBF-ND | Fr. 1.99000 | Simile |
| IRF3710ZPBF | Infineon Technologies | 3’415 | IRF3710ZPBF-ND | Fr. 1.78000 | Simile |
| FDP150N10 | onsemi | 0 | FDP150N10-ND | Fr. 2.66000 | Diretto |
| FDP3651U | onsemi | 424 | FDP3651U-ND | Fr. 2.41000 | Simile |
| HUF75639P3 | onsemi | 1 | HUF75639P3-ND | Fr. 2.57000 | Simile |












