
IPP60R165CPXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPP60R165CPXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPP60R165CPXKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 21 A (Tc) 192W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPP60R165CPXKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 790µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 52 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2000 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 192W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 165mohm a 12A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1’432 | FCP190N60EOS-ND | Fr. 3.96000 | Diretto |
| STP45N60DM2AG | STMicroelectronics | 0 | 497-16128-5-ND | Fr. 5.34000 | Diretto |
| FCP165N60E | onsemi | 1’034 | FCP165N60E-ND | Fr. 3.42000 | Simile |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | Fr. 4.35000 | Simile |
| FCP190N65S3R0 | onsemi | 316 | 488-FCP190N65S3R0-ND | Fr. 2.17000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.91000 | Fr. 3.91 |
| 50 | Fr. 2.02120 | Fr. 101.06 |
| 100 | Fr. 1.83810 | Fr. 183.81 |
| 500 | Fr. 1.51748 | Fr. 758.74 |
| 1’000 | Fr. 1.41453 | Fr. 1’414.53 |
| 2’000 | Fr. 1.32801 | Fr. 2’656.02 |
| 5’000 | Fr. 1.31018 | Fr. 6’550.90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.91000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.22671 |

