
IPP60R190C6XKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPP60R190C6XKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPP60R190C6XKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPP60R190C6XKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 630µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 63 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 151W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 9,5A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STP28N60DM2 | STMicroelectronics | 962 | 497-16348-5-ND | Fr. 3.74000 | Diretto |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | Fr. 4.35000 | Simile |
| SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N60EF-GE3-ND | Fr. 4.11000 | Simile |
| SIHP22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N60AE-GE3-ND | Fr. 1.61834 | Simile |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | Fr. 2.37000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.98000 | Fr. 2.98 |
| 50 | Fr. 1.50080 | Fr. 75.04 |
| 100 | Fr. 1.35780 | Fr. 135.78 |
| 500 | Fr. 1.10706 | Fr. 553.53 |
| 1’000 | Fr. 1.02652 | Fr. 1’026.52 |
| 2’000 | Fr. 0.95882 | Fr. 1’917.64 |
| 5’000 | Fr. 0.90461 | Fr. 4’523.05 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.98000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.22138 |



