
IPP60R299CPXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPP60R299CPXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPP60R299CPXKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 11 A (Tc) 96W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPP60R299CPXKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 440µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 29 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100 pF @ 100 V |
Stato componente Data di acquisto finale | Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 299mohm a 6,6A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | 43 | IPP60R280P7XKSA1-ND | Fr. 2.03000 | Consigliato dal produttore |
| STP13N80K5 | STMicroelectronics | 1’174 | 497-13779-5-ND | Fr. 3.37000 | Diretto |
| FCP11N60 | onsemi | 1’602 | FCP11N60-ND | Fr. 3.26000 | Simile |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1’718 | IRF830APBF-ND | Fr. 2.41000 | Simile |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | Fr. 3.12000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.50000 | Fr. 2.50 |
| 50 | Fr. 1.24900 | Fr. 62.45 |
| 100 | Fr. 1.12770 | Fr. 112.77 |
| 500 | Fr. 0.96346 | Fr. 481.73 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.50000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.70250 |

