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IPP65R190C6XKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPP65R190C6XKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPP65R190C6XKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPP65R190C6XKSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 730µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 73 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1620 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 151W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 7,3 A, 10V |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | Fr. 4.35000 | Simile |
| FCP20N60 | onsemi | 1’678 | FCP20N60-ND | Fr. 5.02000 | Simile |
| SIHP22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 851 | 742-SIHP22N60E-E3-ND | Fr. 4.14000 | Simile |
| STP20N65M5 | STMicroelectronics | 670 | 497-13538-ND | Fr. 3.33000 | Simile |
| STP24N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-13556-5-ND | Fr. 2.89000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 500 | Fr. 1.35662 | Fr. 678.31 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.35662 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.46651 |
