
IPP65R190C7FKSA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IPP65R190C7FKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPP65R190C7FKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 13 A (Tc) 72W (Tc) Foro passante PG-TO220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPP65R190C7FKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 290µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1150 pF @ 400 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 72W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 5,7A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP65R225C7XKSA1-ND | Fr. 2.59000 | Consigliato dal produttore |
| AOT27S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 3’074 | 785-1252-5-ND | Fr. 4.42000 | Simile |
| FCP190N60E | onsemi | 1’432 | FCP190N60EOS-ND | Fr. 3.96000 | Simile |
| FCP190N65S3R0 | onsemi | 316 | 488-FCP190N65S3R0-ND | Fr. 2.17000 | Simile |
| IXFP22N65X2 | IXYS | 4’978 | 238-IXFP22N65X2-ND | Fr. 5.30000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.84000 | Fr. 2.84 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.84000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.07004 |









