Name: IPQC60R010S7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPQC60R010S7AXTMA1TR-ND
Price: 20.02012 CHF
Availability: InStock

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IPQC60R010S7AXTMA1
Codice DigiKey	448-IPQC60R010S7AXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPQC60R010S7AXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPQC60R010S7AXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPQC60R010S7AXTMA1
Descrizione	MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	30 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 50 A (Tc) 694W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPQC60R010S7AXTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 3,08mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 318 nC @ 12 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 694W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-22
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 12V	Contenitore/involucro Modulo 22-PowerBSOP
RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 50A, 12V