IPSA70R2K0P7SAKMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IPSA70R2K0P7SAKMA1
Codice DigiKey	448-IPSA70R2K0P7SAKMA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPSA70R2K0P7SAKMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 700 V 3 A (Tc) 17,6W (Tc) Foro passante PG-TO251-3-347
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPSA70R2K0P7SAKMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	700 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 30µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3.8 nC @ 400 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	130 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	17,6W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO251-3-347
Contenitore/involucro	TO-251-3 conduttori corti, IPAK
Codice componente base	IPSA70