Name: IPT009N10NM8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT009N10NM8ATMA1TR-ND
Price: 3.3511 CHF
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

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IPT009N10NM8ATMA1
Codice DigiKey	448-IPT009N10NM8ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPT009N10NM8ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPT009N10NM8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT009N10NM8ATMA1
Descrizione	IPT009N10NM8ATMA1
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 0.93mOhm @ 100A, 15V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3.2V @ 279µA
Serie OptiMOS™ 8	Carica del gate (Qg) max a Vgs 319 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 21000 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 500W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 42A (Ta), 484A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-1
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 15V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’000	Fr. 1.69859	Fr. 3’397.18
4’000	Fr. 1.66522	Fr. 6’660.88

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.10000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.35110

IPT009N10NM8ATMA1