Name: IPT010N08NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT010N08NM5ATMA1TR-ND
Price: 7.12379 CHF
Availability: InStock

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IPT010N08NM5ATMA1
cms-digikey-product-number	448-IPT010N08NM5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPT010N08NM5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPT010N08NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IPT010N08NM5ATMA1
cms-description	TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
cms-standard-lead-time	18 settimane
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canale N 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
cms-eda-cad-models	IPT010N08NM5ATMA1 Modelli

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	43A (Ta), 425A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,05mohm a 150A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,8V a 280µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	223 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	16000 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HSOF-8
Contenitore/involucro	8-PowerSFN
Codice componente base	IPT010N

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.59000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 7.12379

IPT010N08NM5ATMA1