



IPT020N10N3ATMA1 | |
---|---|
Codice DigiKey | IPT020N10N3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPT020N10N3ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPT020N10N3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPT020N10N3ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 300 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPT020N10N3ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2mohm a 150A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 272µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 156 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 11200 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-HSOF-8-1 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
1 | Fr. 3.95000 | Fr. 3.95 |
10 | Fr. 2.71800 | Fr. 27.18 |
100 | Fr. 1.93950 | Fr. 193.95 |
500 | Fr. 1.84750 | Fr. 923.75 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
2’000 | Fr. 1.51312 | Fr. 3’026.24 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.95000 |
---|---|
Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.26995 |