Name: IPTC039N15NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTC039N15NM5ATMA1TR-ND
Price: 6.11846 CHF
Availability: InStock

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IPTC039N15NM5ATMA1
Codice DigiKey	448-IPTC039N15NM5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPTC039N15NM5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPTC039N15NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPTC039N15NM5ATMA1
Descrizione	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-16-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPTC039N15NM5ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 3,9mohm a 50 A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 4,6V a 243µA
Serie OptiMOS™ 5	Carica del gate (Qg) max a Vgs 93 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7300 pF @ 75 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 319W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 21A (Ta), 190A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-16-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 10V	Contenitore/involucro Modulo 16-PowerSOP

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In magazzino: 3’543

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’800	Fr. 2.14712	Fr. 3’864.82

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 5.66000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 6.11846

IPTC039N15NM5ATMA1