IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IPTG111N20NM3FDATMA1
Codice DigiKey	448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPTG111N20NM3FDATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 10,8A (Ta), 108A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOG-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPTG111N20NM3FDATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 3
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10,8A (Ta), 108A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11,1mohm a 96A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 267µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7000 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HSOG-8-1
Contenitore/involucro	8-PowerSMD, ad ala di gabbiano
Codice componente base	IPTG111N