IPU09N03LA G Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IPU09N03LA G
Codice DigiKey	IPU09N03LAGIN-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPU09N03LA G
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 50 A (Tc) 63W (Tc) Foro passante PG-TO251-3-21
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8,8mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 20µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1642 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	63W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PG-TO251-3-21
Contenitore/involucro	TO-251-3 conduttori corti, IPAK, TO-251AA
Codice componente base	IPU09N