Name: IPW60R041C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R041C6FKSA1-ND
Price: 12.42069 CHF
Availability: InStock

Canale N 600 V 77,5 A (Tc) 481W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1

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IPW60R041C6FKSA1
Codice DigiKey	IPW60R041C6FKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPW60R041C6FKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 77,5 A (Tc) 481W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPW60R041C6FKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 2,96mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 290 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6530 pF @ 10 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 481W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 77,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPW60R041
RDSon (max) a Id, Vgs 41mohm a 44,4A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STY100NM60N	STMicroelectronics	507	497-13289-5-ND	Fr. 20.80000	Diretto
FCH041N65EF-F155	onsemi	358	FCH041N65EF-F155OS-ND	Fr. 12.50000	Simile
FCH041N65F-F085	onsemi	282	FCH041N65F-F085-ND	Fr. 12.20000	Simile
R6061YNZ4C13	Rohm Semiconductor	586	846-R6061YNZ4C13-ND	Fr. 8.55000	Simile
R6077VNZ4C13	Rohm Semiconductor	1’083	846-R6077VNZ4C13-ND	Fr. 12.71000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 11.49000	Fr. 11.49
30	Fr. 6.98733	Fr. 209.62
120	Fr. 6.00100	Fr. 720.12
510	Fr. 5.44969	Fr. 2’779.34

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