
IPW60R045CPFKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPW60R045CPFKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPW60R045CPFKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 60 A (Tc) 431W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPW60R045CPFKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 3mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 190 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6800 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 431W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 45mohm a 44A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STW65N65DM2AG | STMicroelectronics | 379 | 497-16127-5-ND | Fr. 8.82000 | Diretto |
| FCH040N65S3-F155 | onsemi | 875 | FCH040N65S3-F155-ND | Fr. 11.05000 | Simile |
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | Fr. 12.20000 | Simile |
| IXFH80N65X2 | IXYS | 3’650 | 238-IXFH80N65X2-ND | Fr. 13.07000 | Simile |
| SIHW70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHW70N60EF-GE3-ND | Fr. 6.52496 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 13.08000 | Fr. 13.08 |
| 30 | Fr. 8.04633 | Fr. 241.39 |
| 120 | Fr. 6.94375 | Fr. 833.25 |
| 510 | Fr. 6.44622 | Fr. 3’287.57 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 13.08000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 14.13948 |


