Name: IPW60R099C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW60R099C6FKSA1-ND
Price: 6.47519 CHF
Availability: InStock

Canale N 600 V 37,9 A (Tc) 278W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1

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IPW60R099C6FKSA1
Codice DigiKey	448-IPW60R099C6FKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPW60R099C6FKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 37,9 A (Tc) 278W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPW60R099C6FKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 1,21mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 119 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2660 pF @ 100 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 37,9 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPW60R099
RDSon (max) a Id, Vgs 99mohm a 18,1A, 10V

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Sostituti (8)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STW48N60DM2	STMicroelectronics	288	497-16360-5-ND	Fr. 4.82000	Diretto
FCH104N60F-F085	onsemi	411	FCH104N60F-F085OS-ND	Fr. 5.83000	Simile
IXFX48N60P	IXYS	0	IXFX48N60P-ND	Fr. 11.56473	Simile
SIHG28N65EF-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHG28N65EF-GE3-ND	Fr. 2.42658	Simile
STW34NM60N	STMicroelectronics	229	497-10975-5-ND	Fr. 8.93000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 5.99000	Fr. 5.99
30	Fr. 3.44800	Fr. 103.44
120	Fr. 2.88892	Fr. 346.67
510	Fr. 2.47918	Fr. 1’264.38
1’020	Fr. 2.32973	Fr. 2’376.32
2’010	Fr. 2.31694	Fr. 4’657.05

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