Name: IPW60R160C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R160C6FKSA1-ND
Price: 4.16185 CHF
Availability: InStock

Canale N 600 V 23,8 A (Tc) 176W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1

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IPW60R160C6FKSA1
Codice DigiKey	IPW60R160C6FKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPW60R160C6FKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 23,8 A (Tc) 176W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPW60R160C6FKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 750µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 75 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1660 pF @ 100 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 176W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 23,8 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPW60R160
RDSon (max) a Id, Vgs 160mohm a 11,3A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPW60R120P7XKSA1	Infineon Technologies	0	448-IPW60R120P7XKSA1-ND	Fr. 1.57829	Consigliato dal produttore
IXFH22N60P3	IXYS	705	IXFH22N60P3-ND	Fr. 7.03000	Diretto
APT34M60B	Microchip Technology	0	APT34M60B-ND	Fr. 8.94300	Simile
FCH165N60E	onsemi	93	FCH165N60EOS-ND	Fr. 5.68000	Simile
FCH170N60	onsemi	182	FCH170N60-ND	Fr. 5.14000	Simile

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