
IPW65R045C7FKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPW65R045C7FKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPW65R045C7FKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 31 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 46 A (Tc) 227W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPW65R045C7FKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 1,25mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 93 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4340 pF @ 400 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 45mohm a 24,9A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | Fr. 12.20000 | Simile |
| IXTH80N65X2 | IXYS | 115 | IXTH80N65X2-ND | Fr. 12.79000 | Simile |
| SIHG70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 270 | 742-SIHG70N60EF-GE3-ND | Fr. 11.81000 | Simile |
| STW70N60DM2 | STMicroelectronics | 170 | 497-16345-5-ND | Fr. 9.10000 | Simile |
| STW77N65M5 | STMicroelectronics | 237 | 497-10589-5-ND | Fr. 13.55000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 9.11000 | Fr. 9.11 |
| 30 | Fr. 5.42833 | Fr. 162.85 |
| 120 | Fr. 4.62150 | Fr. 554.58 |
| 510 | Fr. 4.03067 | Fr. 2’055.64 |
| 1’020 | Fr. 4.02558 | Fr. 4’106.09 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 9.11000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 9.84791 |









