Name: IPW65R110CFDAFKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R110CFDAFKSA1-ND
Price: 6.45357 CHF
Availability: OutOfStock

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Canale N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Foro passante PG-TO247-3

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IPW65R110CFDAFKSA1
Codice DigiKey	448-IPW65R110CFDAFKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPW65R110CFDAFKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Foro passante PG-TO247-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPW65R110CFDAFKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 118 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3240 pF @ 100 V
Confezionamento Tubo	Dissipazione di potenza (max) 277,8W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 31,2 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-247-3
RDSon (max) a Id, Vgs 110mohm a 12,7 A, 10V	Codice componente base IPW65R110
Vgs(th) max a Id 4,5V a 1,3mA

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXFX48N60P	IXYS	0	IXFX48N60P-ND	Fr. 11.56473	Simile
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120	Fr. 2.87833	Fr. 345.40
510	Fr. 2.46980	Fr. 1’259.60
1’020	Fr. 2.32078	Fr. 2’367.20
2’010	Fr. 2.30691	Fr. 4’636.89

Contenitore standard del produttore

Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.