IPW65R125C7XKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IPW65R125C7XKSA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

In magazzino: 198

Prezzo unitario : Fr. 6.54000

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IPW65R125C7XKSA1
Codice DigiKey	IPW65R125C7XKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPW65R125C7XKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 18 A (Tc) 101W (Tc) Foro passante PG-TO247-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPW65R125C7XKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 440µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1670 pF @ 400 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 101W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO247-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPW65R125
RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 8,9A, 10V