Name: IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPZ40N04S5L2R8ATMA1TR-ND
Price: 1.7296 CHF
Availability: InStock

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Codice DigiKey	IPZ40N04S5L2R8ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPZ40N04S5L2R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 40 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 52 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±16V
Serie OptiMOS™ 5	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2800 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc)
Stato componente Non per nuovi progetti	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 40 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 2,8mohm a 20A, 10V	Codice componente base IPZ40N04
Vgs(th) max a Id 2V a 30µA