Canale N 40 V 57A (Ta), 597A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHSON-8-U02
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IQD005N04NM6SCATMA1

Codice DigiKey
448-IQD005N04NM6SCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IQD005N04NM6SCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IQD005N04NM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IQD005N04NM6SCATMA1
Descrizione
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Tempi di consegna standard del produttore
39 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 57A (Ta), 597A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHSON-8-U02
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IQD005N04NM6SCATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™ 6
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
57A (Ta), 597A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
0.49mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,8V a 1,449mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
163 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
12000 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-WHSON-8-U02
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
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In magazzino: 5’000
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 3.70000Fr. 3.70
10Fr. 2.44700Fr. 24.47
100Fr. 1.73540Fr. 173.54
500Fr. 1.61420Fr. 807.10
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5’000Fr. 1.31880Fr. 6’594.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 3.70000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.99970
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