Name: IQD005N04NM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD005N04NM6SCATMA1TR-ND
Price: 4.8645 CHF
Availability: InStock

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IQD005N04NM6SCATMA1
Codice DigiKey	448-IQD005N04NM6SCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQD005N04NM6SCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQD005N04NM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQD005N04NM6SCATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 8POWERWDFN
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 57A (Ta), 597A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHSON-8-U02
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQD005N04NM6SCATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 0.49mOhm @ 50A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2,8V a 1,449mA
Serie OptiMOS™ 6	Carica del gate (Qg) max a Vgs 163 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 12000 pF @ 20 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 333W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 57A (Ta), 597A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-WHSON-8-U02
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN

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In magazzino: 4’790

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5’000	Fr. 1.41634	Fr. 7’081.70

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.50000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.86450

IQD005N04NM6SCATMA1