Name: IQD009N06NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5SCATMA1TR-ND
Price: 4.96179 CHF
Availability: InStock

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IQD009N06NM5SCATMA1
Codice DigiKey	448-IQD009N06NM5SCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQD009N06NM5SCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQD009N06NM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQD009N06NM5SCATMA1
Descrizione	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHSON-8-U02
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQD009N06NM5SCATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 0,9mohm a 50A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,3V a 163µA
Serie OptiMOS™ 5	Carica del gate (Qg) max a Vgs 150 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 12000 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 333W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 42A (Ta), 445A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-WHSON-8-U02
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5’000	Fr. 1.62431	Fr. 8’121.55

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.59000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.96179

IQD009N06NM5SCATMA1