Name: IQDH45N04LM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6SCATMA1TR-ND
Price: 4.05375 CHF
Availability: InStock

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IQDH45N04LM6SCATMA1
Codice DigiKey	448-IQDH45N04LM6SCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQDH45N04LM6SCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQDH45N04LM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQDH45N04LM6SCATMA1
Descrizione	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHSON-8-U02
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQDH45N04LM6SCATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	58A (Ta), 611A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	0.49mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,3V a 1,449mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	78 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	12000 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-WHSON-8-U02
Contenitore/involucro	8-PowerWDFN

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.75000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.05375

IQDH45N04LM6SCATMA1