Name: IQE004NE1LM7SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7SCATMA1TR-ND
Price: 3.07004 CHF
Availability: InStock

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IQE004NE1LM7SCATMA1
Codice DigiKey	448-IQE004NE1LM7SCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE004NE1LM7SCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE004NE1LM7SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE004NE1LM7SCATMA1
Descrizione	TRENCH <= 40V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 15 V 2,1W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE004NE1LM7SCATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 0.45mOhm @ 30A, 7V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2V @ 432µA
Serie OptiMOS™ 7	Carica del gate (Qg) max a Vgs 55 nC @ 7 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±7V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6240 pF @ 7.5 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 15 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 58A (Ta), 379A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-WHSON-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4.5V, 7V	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
6’000	Fr. 0.79894	Fr. 4’793.64

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.84000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.07004

IQE004NE1LM7SCATMA1