Name: IQE013N04LM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND
Price: 2.83222 CHF
Availability: InStock

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IQE013N04LM6SCATMA1
Codice DigiKey	448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE013N04LM6SCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE013N04LM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE013N04LM6SCATMA1
Descrizione	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHSON-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE013N04LM6SCATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,35mohm a 20A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2V a 51µA
Serie OptiMOS™ 6	Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3800 pF @ 20 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 107W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 31A (Ta), 205A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-WHSON-8-1
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
6’000	Fr. 0.75836	Fr. 4’550.16

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.62000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.83222

IQE013N04LM6SCATMA1