Name: IQE046N08LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 3.82674 CHF
Availability: OutOfStock

Canale N 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHTFN-9

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IQE046N08LM5CGSCATMA1
Codice DigiKey	448-IQE046N08LM5CGSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE046N08LM5CGSCATMA1
Descrizione	OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHTFN-9
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE046N08LM5CGSCATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,3V a 47µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 38 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3250 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore PG-WHTFN-9
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15,6A (Ta), 99A (Tc)	Contenitore/involucro 9-PowerWDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IQE046
RDSon (max) a Id, Vgs 4,6mohm a 20A, 10V