
IQE050N08NM5CGSCATMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IQE050N08NM5CGSCATMA1 |
Descrizione | OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 39 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHTFN-9-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IQE050N08NM5CGSCATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,8V a 49µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 44 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2900 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 100W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-WHTFN-9-1 | |
Contenitore/involucro |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 2.94000 | Fr. 2.94 |
10 | Fr. 1.92100 | Fr. 19.21 |
100 | Fr. 1.50530 | Fr. 150.53 |
500 | Fr. 1.18748 | Fr. 593.74 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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6’000 | Fr. 0.96432 | Fr. 5’785.92 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.94000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.17814 |