Name: IQE065N10NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE065N10NM5ATMA1TR-ND
Price: 3.40515 CHF
Availability: InStock

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IQE065N10NM5ATMA1
Codice DigiKey	448-IQE065N10NM5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE065N10NM5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE065N10NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE065N10NM5ATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V PG-TSON-8
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 14 A (Ta), 85 A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-8-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE065N10NM5ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 48µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 42 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3000 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TSON-8-4
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14 A (Ta), 85 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IQE065N
RDSon (max) a Id, Vgs 6,5mohm a 20A, 10V

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5’000	Fr. 0.91825	Fr. 4’591.25

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.15000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.40515

IQE065N10NM5ATMA1