Name: IQFH36N04NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQFH36N04NM6ATMA1TR-ND
Price: 4.55101 CHF
Availability: OutOfStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IQFH36N04NM6ATMA1
Codice DigiKey	448-IQFH36N04NM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQFH36N04NM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQFH36N04NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQFH36N04NM6ATMA1
Descrizione	IQFH36N04NM6ATMA1
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 66A (Ta), 656A (Tc) 3W (Ta), 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-12-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQFH36N04NM6ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	66A (Ta), 656A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	0,36mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,8V a 1,05mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	309 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	18600 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSON-12-1
Contenitore/involucro	12-PowerTDFN

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 in magazzino

Verifica i tempi di consegna

Richiedi notifica di giacenza

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®