IRF1010EZ Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IRF1010EZ è obsoleto e non è più in produzione.

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IRF1010EZ
Codice DigiKey	IRF1010EZ-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF1010EZ
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 75 A (Tc) 140W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	75 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8,5mohm a 51A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2810 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	140W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220AB
Contenitore/involucro	TO-220-3