IRF1010ZSTRLPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IRF1010ZSTRLPBF
Codice DigiKey	IRF1010ZSTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF1010ZSTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF1010ZSTRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 55 V 75 A (Tc) 140W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 95 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2840 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 55 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 75 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRF1010
RDSon (max) a Id, Vgs 7,5mohm a 75A, 10V

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Sostituti (13)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRF3205ZSTRLPBF	Infineon Technologies	4’387	IRF3205ZSTRLPBFCT-ND	Fr. 2.16000	Consigliato dal produttore
IPB081N06L3GATMA1	Infineon Technologies	5’302	IPB081N06L3GATMA1CT-ND	Fr. 1.67000	Simile
IPB090N06N3GATMA1	Infineon Technologies	0	IPB090N06N3GATMA1CT-ND	Fr. 1.53000	Simile
BUK7610-55AL,118	Nexperia USA Inc.	4’599	1727-BUK7610-55AL,118CT-ND	Fr. 3.28000	Simile
HUF75345S3ST	onsemi	1’881	HUF75345S3STCT-ND	Fr. 6.37000	Simile

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