IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IRF1018ESTRLPBF
Codice DigiKey	IRF1018ESTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF1018ESTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF1018ESTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF1018ESTRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 79 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF1018ESTRLPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 100µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 69 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2290 pF @ 50 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 79 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRF1018
RDSon (max) a Id, Vgs 8,4mohm a 47A, 10V

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Sostituti (8)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPB057N06NATMA1	Infineon Technologies	3’004	IPB057N06NATMA1CT-ND	Fr. 1.84000	Consigliato dal produttore
BUK768R3-60E,118	Nexperia USA Inc.	444	1727-7258-1-ND	Fr. 2.20000	Simile
HUF75545S3ST	onsemi	555	HUF75545S3STCT-ND	Fr. 2.94000	Simile
PSMN015-60BS,118	Nexperia USA Inc.	5’986	1727-7207-1-ND	Fr. 1.70000	Simile
PSMN7R6-60BS,118	Nexperia USA Inc.	152	1727-7215-1-ND	Fr. 2.00000	Simile

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