TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IRF1310NSTRRPBF

Codice DigiKey
IRF1310NSTRRPBF-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRF1310NSTRRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 42 A (Tc) 3,8W (Ta), 160W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
42 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
36mohm a 22A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,8W (Ta), 160W (Tc)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
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