IRF135SA204 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IRF135SA204
Codice DigiKey	IRF135SA204TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF135SA204
Descrizione	MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 135 V 160 A (Tc) 500W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF135SA204 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®, StrongIRFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	135 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	160 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,9mohm a 96A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	315 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	11690 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK-7
Contenitore/involucro	TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta), variante
Codice componente base	IRF135