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Canale N 75 V 100 A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
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IRF1407STRRPBF

Codice DigiKey
IRF1407STRRPBF-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IRF1407STRRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 75 V 100 A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
7,8mohm a 78A, 10V
Produttore
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
250 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5600 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
3,8W (Ta), 200W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
75 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (10)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IPB80N08S207ATMA1Infineon Technologies957448-IPB80N08S207ATMA1CT-NDFr. 4.79000Simile
BUK9609-75A,118Nexperia USA Inc.01727-7189-1-NDFr. 1.15399Simile
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