IRF200B211 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IRF200B211
Codice DigiKey	IRF200B211-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF200B211
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 12 A (Tc) 80W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF200B211 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®, StrongIRFET™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	170mohm a 7,2A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,9V a 50µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	790 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	80W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220AB
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	IRF200

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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50	Fr. 0.78100	Fr. 39.05
100	Fr. 0.69960	Fr. 69.96

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