IRF200S234 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IRF200S234 è obsoleto e non è più in produzione.

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IRF200S234
Codice DigiKey	IRF200S234TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF200S234
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 90 A (Tc) 417W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF200S234 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	90 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	16,9mohm a 51A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	162 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6484 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	417W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRF200