Name: IRF2907ZSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF2907ZSTRLPBFTR-ND
Price: 4.1078 CHF
Availability: InStock

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IRF2907ZSTRLPBF
Codice DigiKey	IRF2907ZSTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF2907ZSTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF2907ZSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF2907ZSTRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 160 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 270 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7500 pF @ 25 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 75 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 160 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRF2907
RDSon (max) a Id, Vgs 4,5mohm a 75A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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Nastrato in bobina (TR)